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Samsung Electronics與Broadcom簽署至2030年價值2000億美元的半導體合作協議

Reuters ·
  • Samsung Electronics與Broadcom達成了一項價值超過2000億美元並延長至2030年的合作伙伴關係,以擴大在儲存晶片、代工業務和先進封裝領域的合作。
  • 這項為期五年的合作將把Broadcom的ASIC設計專長與Samsung的製造能力相結合,針對Broadcom下一代通訊晶片採用2奈米以下工藝技術。
  • 該協議包括共同開發下一代高頻寬記憶體(HBM)產品,以支援對定製AI處理器日益增長的需求。

引述

“此次擴大合作……反映了Samsung致力於在日益多元化的AI和高效能運算應用中,為客戶提供端到端半導體技術支援的決心,”— Samsung Electronics

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