- 據路透社援引訊息人士稱，長鑫儲存計劃在北京建設一條NAND快閃記憶體研發線，在其核心DRAM業務之外擴張。
- 此舉讓長鑫儲存進入一個新市場，將挑戰三星、SK海力士、美光以及中國的長江儲存。
- 全球快閃記憶體短缺推高了價格，令裝置製造商承壓，為長鑫儲存創造了瞄準的切入點。
引述
“訊息人士稱，長鑫儲存計劃在北京建設NAND快閃記憶體研發線”
“此舉在長鑫儲存核心DRAM業務之外開啟新市場”
“全球快閃記憶體短缺推高了價格，令裝置製造商承壓”
“長鑫儲存將挑戰三星、SK海力士、美光以及中國的長江儲存”
長鑫儲存(CXMT)擬建NAND快閃記憶體產線，挑戰三星與美光
Reuters · 7 小時前