- 三星的V10 BV-NAND原型採用超過400層堆疊和晶圓鍵合架構，以提升AI系統的儲存密度和效能。
- 三星表示，BV-NAND的記憶體密度較V9 NAND提高約58%；zHBM則將記憶體垂直置於AI加速器上方，以縮短資料傳輸距離並提高頻寬和能效。
- 隨著AI工作負載從模型訓練擴充套件至推理，該產品釋出旨在滿足不斷增長的大容量NAND需求。
引述
“該晶片採用超過400層堆疊和全新的晶圓鍵合架構，以提高儲存密度並提升效能。”
“三星表示，其晶圓鍵合技術可實現傳統HBM5記憶體逾10倍的記憶體密度，同時將能效提高兩倍，並將熱阻降低逾一半。”