- 美光展示了面向伺服器平臺的512GB DDR5 RDIMM，這是首款此類模組，採用垂直互連封裝，透過TSV連線堆疊DRAM裸片。
- 單個512GB模組功耗為16.0瓦，而同等容量的四個128GB模組功耗為44.2瓦，執行功耗降低超過60%，速率最高可達9,200 MT/s。
- 美光表示，在記憶體受限的分析工作負載上，該模組相較256GB DDR5配置可提供最高1.4倍的效能提升，面向現有伺服器空間內更大的AI、資料庫和虛擬化工作負載。
- 超微半導體和英特爾正在為下一代伺服器平臺驗證這款512GB RDIMM，訊息公佈後美光、超微半導體和英特爾的股價上漲。
- 美光預計，512GB DDR5 RDIMM將於2027年下半年實現量產，具體取決於客戶需求。
引述
“512GB RDIMM使多TB伺服器成為可能，支援更大的AI和資料庫工作負載、更高的虛擬化密度和更優的能效，且全部在現有伺服器空間內實現。”
“英特爾正與美光合作驗證該技術，並支援其未來在伺服器平臺中的使用。”