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Samsung Electronics与Broadcom签署至2030年价值2000亿美元的半导体合作协议

Reuters ·
  • Samsung Electronics与Broadcom达成了一项价值超过2000亿美元并延长至2030年的合作伙伴关系,以扩大在存储芯片、代工业务和先进封装领域的合作。
  • 这项为期五年的合作将把Broadcom的ASIC设计专长与Samsung的制造能力相结合,针对Broadcom下一代通信芯片采用2纳米以下工艺技术。
  • 该协议包括共同开发下一代高带宽内存(HBM)产品,以支持对定制AI处理器日益增长的需求。

引述

“此次扩大合作……反映了Samsung致力于在日益多元化的AI和高性能计算应用中,为客户提供端到端半导体技术支持的决心,”— Samsung Electronics

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