美光公布HBM4与1-delta DRAM路线图,瞄准AI内存市场

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美光公布HBM4与1-delta DRAM路线图,瞄准AI内存市场
  • 美光公布了涵盖DRAM、HBM、NAND和先进封装的路线图,其中HBM4已进入大规模量产。
  • 1-delta DRAM预计于2027年下半年进入大规模量产,Gen 11 NAND预计于2027年末加速量产,其位密度为Gen 9的两倍以上。
  • 管理层预测,内存供应至少在未来两年内仍将紧张。
  • 10月21日,MU股价报899.64美元,上涨约0.4%,此时距美东时间上午10点的技术网络研讨会尚有时间;股价较GF Value估值793.59美元高出13.36%。
  • 投资者将关注HBM产量增长、毛利率和资本支出,以判断该路线图能否转化为利润。

引述

“核心约束”— Marketbeat
“更快的内存更能赢得关注。”— Khac Phu Nguyen

来源