- 长鑫存储表示，其G5平台每片晶圆产出的裸片数量较上一代至少增加50%，同时保持了更好的能效和成本控制。
- 长鑫存储使用四重曝光技术达到11.95nm阈值，并称其接近全球最先进的量产存储平台。
- 长鑫存储展示了面向移动设备的两款量产24Gb LPDDR5X DRAM芯片，容量较上一代同类产品提升50%。
- 三星电子和SK海力士采用10nm级制程技术，长鑫存储的G5缩小了它们的制程节点优势。
引述
“在存储密度上实现了“巨大飞跃”，每片晶圆产出的裸片数量较上一代至少增加50%”
“使用“四重曝光”技术达到11.95nm阈值”
“两款基于G5平台的量产LPDDR5X产品”