- 据路透社援引消息人士称，长鑫存储计划在北京建设一条NAND闪存研发线，在其核心DRAM业务之外扩张。
- 此举让长鑫存储进入一个新市场，将挑战三星、SK海力士、美光以及中国的长江存储。
- 全球闪存短缺推高了价格，令设备制造商承压，为长鑫存储创造了瞄准的切入点。
引述
“消息人士称，长鑫存储计划在北京建设NAND闪存研发线”
“此举在长鑫存储核心DRAM业务之外打开新市场”
“全球闪存短缺推高了价格，令设备制造商承压”
“长鑫存储将挑战三星、SK海力士、美光以及中国的长江存储”
长鑫存储(CXMT)拟建NAND闪存产线，挑战三星与美光
Reuters · 7小时前