- 三星的V10 BV-NAND原型采用超过400层堆叠和晶圆键合架构，以提升AI系统的存储密度和性能。
- 三星表示，BV-NAND的内存密度较V9 NAND提高约58%；zHBM则将内存垂直置于AI加速器上方，以缩短数据传输距离并提高带宽和能效。
- 随着AI工作负载从模型训练扩展至推理，该产品发布旨在满足不断增长的大容量NAND需求。
引述
“该芯片采用超过400层堆叠和全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并提升性能。”
“三星表示，其晶圆键合技术可实现传统HBM5内存逾10倍的内存密度，同时将能效提高两倍，并将热阻降低逾一半。”