- 長鑫儲存表示，其G5平臺每片晶圓產出的裸片數量較上一代至少增加50%，同時保持了更好的能效和成本控制。
- 長鑫儲存使用四重曝光技術達到11.95nm閾值，並稱其接近全球最先進的量產儲存平臺。
- 長鑫儲存展示了面向移動裝置的兩款量產24Gb LPDDR5X DRAM晶片，容量較上一代同類產品提升50%。
- 三星電子和SK海力士採用10nm級製程技術，長鑫儲存的G5縮小了它們的製程節點優勢。
引述
“在儲存密度上實現了“巨大飛躍”，每片晶圓產出的裸片數量較上一代至少增加50%”
“使用“四重曝光”技術達到11.95nm閾值”
“兩款基於G5平臺的量產LPDDR5X產品”